资讯
近日消息，三星电子在先进内存技术的推进过程中遭遇挑战，其1b纳米(12纳米级别)DRAM内存芯片的生产良率目前低于50%，远未达到行业普遍期望的80%-90%高标准。
面对此困境，三星在上个月迅速响应，组建了特别工作组，集中力量解决这一良率瓶颈问题，旨在快速提升生产效率，保持其在全球存储市场的竞争力。
三星电子于 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 级 DDR5 内存开始量产，后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 级 32Gb DDR5 内存开发成功。
32Gb 的颗粒容量意味着三星可在不使用 TSV 工艺的情况下就能生产 128GB 容量的高密度 DDR5 RDIMM 内存条。
相比采用 TSV 的 3DS DIMM 内存，这种常规内存条功耗减少 10%，制造成本也显著降低。
因此，12nm 级制程的 32Gb DDR5 内存颗粒被三星电子视为未来的主力产品。此番成立专门工作组旨在迅速提升良率。
三星电子还决定积极扩大 12nm 级 DRAM 的产量，未来华城 15 和平泽 P2 晶圆厂将成为这一产品的主要生产基地。后者目前主要生产 1z nm 内存，将进行工艺升级。
三星电子计划将 12nm 级 DRAM 的产能从目前的每月 4 万片晶圆扩张到三季度的 7 万片和四季度的 10 万片，明年则将进一步提升至每月 20 万片晶圆。
文明上网，理性发言，共同做网络文明传播者