美光半导体新里程碑：爱达荷州与纽约州先进晶圆厂预计2027至2028财年启动生产

6月28日消息，美光内存产能扩张蓝图曝光，爱达荷州博伊西及纽约克莱DRAMS晶圆厂预计2027至2028财年投入运营。

译文：爱达荷州晶圆厂要到 2027 财年才会带来有意义的位元供应，而纽约（州）的建设资本支出预计要到 2028 财年或更晚才会带来位元供应的增长。

原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New York construction capex is not expected to contribute to bit supply growth until fiscal 2028 or later.

美光的财年起始于上一个日历年 9 月，截至同名日历年 8 月。

换句话说，爱达荷州博伊西新晶圆厂将于 2026 年 9 月~2027 年 8 月投运，而位于纽约州克莱的首座晶圆厂将于 2027 年 9 月~2028 年 8 月进入正式生产阶段。

美光同时表示，将对这些晶圆厂未来设备支出的时间线进行管理，使供应增长与预期需求增长保持一致。

美光此前宣布，将在 2030 年前斥资 500 亿美元（当前约 3642.33 亿元人民币）在博伊西和克莱分别建设一座和两座先进 DRAM 内存晶圆厂，未来还将投资 750 亿美元在克莱建设另外两座内存晶圆厂。

根据初步协议，美国联邦政府将给予美光至多 61.4 亿美元直接补贴和 75 亿美元贷款支持，纽约州政府也将提供价值 55 亿美元的激励措施。

美光目前尚未启动纽约州克莱晶圆厂的建设。彭博社早前报道称，该项目用地目前生活着两种濒临灭绝的蝙蝠，美光需要等到蝙蝠进入冬眠期后才能砍伐蝙蝠夏季栖息地的树木。

美光就此向英媒 The Register 回应称，包括为蝙蝠寻找替代栖息地在内的环境审批问题早已被纳入其建设时间表，目标 2025 年初开始项目建设。

扩 展 阅 读

美光正式宣布：12层堆叠HBM3E 36GB内存进入“生产就绪”阶段，加速交付步伐

美光 09-06 10:00