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铠侠（Kioxia）于7月3日发表官方声明，宣布其最新的2太字节（TB）四级单元（QLC）存储解决方案样品已启动向客户送样。这一里程碑标志着铠侠在存储容量上的重大突破，新QLC闪存的位密度相比其第五代产品显著提升了2.3倍，彰显了公司在先进半导体技术领域的持续领先地位。
2Tb QLC 存储产品采用第八代 BiCS FLASH 3D 闪存技术，器件拥有业内最高容量，有望推动包括 AI 在内多个应用领域的增长。
铠侠表示相比较铠侠目前的第五代 QLC 器件，最新推出的 2Tb QLC 位密度提高了约 2.3 倍，写入能效提高了约 70%。
该产品采用 16 片堆叠架构，封装紧凑，尺寸为 11.5 x 13.5 毫米，高度为 1.5 毫米，总容量达到 4 TB。
铠侠表示在生产过程中使用了专有的 CBA（CMOS 直接绑定到阵列）技术，该技术有助于创建更高密度的设备，并支持更快的 3.6Gbps 接口速度。这些开发旨在满足对功耗和空间效率要求极高的应用日益增长的需求。
铠侠还扩展了产品线，推出了 1Tb QLC 存储器，专为客户端固态硬盘和移动设备等性能敏感型应用而设计，与 2Tb 型号相比，该型号的连续写入性能提高了约 30%，读取延迟时间缩短了约 15%。
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