资讯
7月3日消息，Kioxia Corporation 今日宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的2太比特（Tb）Quad-Level-Cell（QLC）内存器件已启动样品出货。
这款2Tb QLC器件，凭借其业界领先的高容量记录，标志着存储设备领域迈入了一个全新的容量纪元，预示着从数据中心到边缘计算，乃至人工智能等应用领域的数据存储能力将迎来质的飞跃。
凭借最新的 BiCS FLASH 技术，Kioxia 通过专有工艺和创新架构实现了存储器芯片的纵向和横向扩展。此外，该公司还采用了 CBA（CMOS 直接绑定到阵列）技术，实现了更高密度的器件和业界领先的 3.6 Gbps 接口速度。这些先进技术共同应用于 2 Tb QLC 的制造，使其成为业界容量最大的存储器件。
与 Kioxia 目前的第五代 QLC 器件相比，2 Tb QLC 的位密度高出约 2.3 倍，写入能效高出约 70%，是 Kioxia 产品中容量最高的器件。最新的 QLC 器件在单个存储器封装中采用 16 片堆叠架构，实现了业界领先的 4 TB 容量。它的封装尺寸更小，为 11.5 x 13.5 毫米，封装高度为 1.5 毫米。
除了 2 Tb QLC，Kioxia 还在其产品组合中增加了 1 Tb QLC 存储器。与容量优化的 2 Tb QLC 相比，性能优化的 1 Tb QLC 的连续写入性能提高了约 30%，读取延迟提高了约 15%。1 Tb QLC 将部署在高性能应用中，包括客户端固态硬盘和移动设备。
Kioxia 将继续开发业界领先的内存产品，以满足日益增长的数据存储解决方案需求。
文明上网，理性发言，共同做网络文明传播者