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近日消息，苹果或将采取一种新型的存储技术方案，即采用读写速度相对较低但容量密度更高的QLC闪存替代当前广泛使用的TLC NAND闪存。这一潜在转变意味着，对于存储空间需求达到或超越1TB的高端机型，苹果可能会放弃沿用已久的三层单元（TLC）NAND闪存架构，转而采用四层单元（QLC）NAND闪存技术。
QLC NAND相较于TLC NAND，虽然在单个单元内存储更多的比特数可显著提升设备的整体存储容量，但它在数据传输速率和耐用性上可能不及TLC NAND。然而，随着闪存技术的不断演进与优化，QLC闪存的实际性能表现有望在满足大容量需求的同时，也能在一定程度上确保用户体验不受太大影响。
因此，如果iPhone 16系列真的采纳QLC闪存策略，那么这将是苹果公司在权衡存储成本、设备厚度、续航能力以及用户实际需求后作出的一项重要决策，旨在为用户提供更大存储空间的选择，同时也反映出苹果在硬件技术研发上的持续探索与创新。
与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据，在使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据，或者使用更少的单元储存更多的数据，而这可以降低生产成本。
此外，QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠，写入数据的耐久性会降低，因为每个单元写入的次数更多，因为每个单元多包含一个位。
QLC NAND闪存可以存储16种不同的电荷电平，而TLC仅能存储8种电荷电平。读取数据时，由于电荷量增加，裕量减少，这就有可能因噪声增加而导致位错误增加。
如果苹果继续执行这一计划，一些版本的iPhone 16 用户可能会遇到数据写入速度低于低容量用户的情况。
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