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1月3日消息，在韩国当地的媒体报道中指出，三星电子内部非常重要的DS部门旗下负责内存（也就是存储器）业务的部门有了新的重大进展。近期，该部门顺利地完成了HBM4内存逻辑芯片的设计工作，这一设计成果对于三星在内存芯片技术领域有着重要意义。
而与之相关的Foundry业务部，在得到这一设计成果之后迅速行动起来，目前已经依据这个精心完成的设计开始采用先进的4nm制程来进行试生产工作。这一系列的动作表明三星电子在内存芯片的研发与生产进程方面又迈向了新的阶段，它或许将在全球内存芯片市场上带来新的竞争格局变化，也预示着三星在高科技芯片制造技术方面持续深耕的决心和能力。
待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。
逻辑芯片也称基础裸片、接口芯片，在整体 HBM 内存堆栈中起到“大脑”的作用，负责控制其上方多层 DRAM Die。在 HBM4 世代，由于内存堆栈 I/O 引脚数量加倍、需集成更多功能等一系列因素，三大内存原厂均采用逻辑半导体代工制造逻辑芯片。
业内人士表示，运行时的发热是 HBM 内存的最大敌人，而在堆栈整体中逻辑芯片更是发热大户，采用先进制程制造逻辑芯片有助于改善 HBM4 的能效与性能表现。
三星电子试图在 HBM4 上采取相对激进的技术路线以挽回在 HBM3 (E) 世代因质量原因而丢失的 HBM 内存市场份额：除采用自家 4nm 工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在 HBM4 上导入 1c nm 制程 DRAM Die，并有望在 16Hi 堆栈中引入无凸块的混合键合技术。
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