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英特尔作为全球领先的半导体公司，一直以来致力于突破科技边界，引领着先进封装技术的发展。近日（1.24），在美国新墨西哥州，英特尔的芯片工厂成为了这一领域的引领者，成功实现了3D先进封装技术的突破。
英特尔(INTC.US)周三表示，该公司已经在美国新墨西哥州开设了Fab 9芯片工厂。这是该公司2021年宣布旨在加强其在美国西南部州的制造业务的35亿美元投资的一部分。
据悉，这家位于新墨西哥州Rio Rancho的工厂是英特尔首批大规模生产3D先进半导体封装技术的运营基地之一。英特尔执行副总裁兼首席全球运营官Keyvan Esfarjani在一份声明中表示:“这是美国唯一一家大规模生产世界上最先进封装解决方案的工厂。”英特尔表示，其名为Foveros的3D先进封装技术是一种首创的解决方案，可以使处理器的计算块垂直堆叠、而不是并排堆叠。
在周三的声明中，英特尔表示，这项投资创造了数百个高科技工作岗位、超过3000个建筑工作岗位，并在全州创造了额外的3500个工作岗位。
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