2月28日消息,在近日举行的IFS Direct Connect闭门研讨会上,业界巨头英特尔对外透露了其雄心勃勃的芯片制造计划——该公司正全力冲刺,拟于2027年底实现尖端的Intel 10A制程节点的大规模生产。
英特尔在该活动上确认,按目前计划,14A 节点的“有意义”规模量产将落在 2026 年;而暂未正式公布的下一个制程节点 10A 预期于 2027 年底投产。
结合以往报道,10A 将是英特尔第二个采用 High-NA EUV 光刻的独立主要节点,预计获得超过 10% 的每瓦性能提升。
根据资料图片,英特尔预测其整体晶圆投片量将随着 Intel 4/3、20A / 18A 等制程节点的推进而提升,而 10nm、Intel 7 等成熟节点的产能将逐步收缩。
在封装部分,英特尔最近已退出传统封装领域,转而委托 OAST 外包,全力投入先进封装业务。随着位于美国新墨西哥州的 Fab9 在改造升级后投产,英特尔认为其先进封装产能将在未来数年间快速提升。
整体上看,英特尔计划在未来 5 年间投资 1000 亿美元(注:当前约 7210 亿元人民币)用于新建与扩建晶圆制造和先进封装工厂,实现产能在全球的广泛分布。
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