资讯
3月27日最新资讯：ASML官方证实，在其新款0.33NA EUV光刻系统NXE:3800E中融合了部分High-NA EUV光刻技术，此举有效提升了设备的整体运行效率与性能表现。
根据报道，NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装，可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量，相较以往机型的 160 片提升近 22%。
下一代光刻技术 High-NA（高数值孔径） EUV 采用了更宽的光锥，这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽，会导致影响晶圆吞吐量的光损失。因此 ASML 提高了光学系统的放大倍率，从而将光线入射角调整回合适大小。
但在掩膜尺寸不变的情况下，增加光学系统放大倍率本身也会因为曝光场的减少影响晶圆吞吐量。因此 ASML 仅在一个方向上将放大倍数从 4 倍提升至 8 倍，这使得曝光场仅用减小一半。
而为了进一步降低曝光时间，提升吞吐量，有必要提升光刻机载物台的运动速率。ASML 工程师就此开发了同时兼容现有 0.33NA 数值孔径系统的新款快速载物台运动系统。
对于 NXE:3800E 而言，其光学原件同之前的 3600D 机型相同，仅是配备了更高效的 EUV 光源，所以其吞吐量收益主要来自每次曝光之间的晶圆移动加速。与 3600D 相比，3800E 的载物台移动速度提升至 2 倍，曝光步骤总时长也大约减少了一半。
更快的运行速度也带来了能效的提升，ASML 的发言人表示，NXE:3800E 整体节省了约 20%~25% 的能源。
文明上网，理性发言，共同做网络文明传播者