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近日消息，三星半导体已正式进入其第九代V-NAND 1Tb TLC芯片的大规模生产阶段。这一最新世代的闪存产品在位密度方面实现了显著跃升，相比前代提升了大约50%，此重大进步归功于创新的通道孔蚀刻工艺，该技术不仅优化了存储单元结构，还极大地促进了制造流程的效能。
第九代 V-NAND 采用双重堆叠技术，在旗舰 V8 闪存的 236 层基础上，再次达到了 290 层，主要面向大型企业服务器以及人工智能和云设备。
而业内消息称三星计划明年推出第 10 代 NAND 芯片，采用三重堆叠技术，达到 430 层，进一步提高 NAND 的密度，并巩固和扩大其领先优势。
市场研究公司 Omdia 预计，NAND 闪存市场在 2023 年下降 37.7% 后，预计今年将增长 38.1%。为了在快速增长的市场中占据一席之地，三星誓言要大力投资 NAND 业务。
此前报道，三星高管表示，该公司的目标是到 2030 年开发超过 1000 层的 NAND 芯片，以实现更高的密度和存储能力。
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