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5月6日消息，三星电子宣布了一项重大突破，他们已顺利运用新思科技的创新Synopsys.ai电子设计自动化（EDA）工具包，成功实现了基于下一代GAA（Gate-All-Around）晶体管架构的高性能移动系统级芯片（SoC）的流片，这一工艺制程达到了3纳米及以下的顶尖水平。
此次成就不仅彰显了三星在先进半导体制造技术的领先地位，也证实了新思科技EDA解决方案在推动超精密集成电路设计方面的强大能力。此举预示着移动计算领域即将迎来性能与能效比的重大飞跃，为未来智能设备的革新奠定了坚实基础。
新思科技表示，三星电子的这颗 SoC 包含了“旗舰”CPU 和 GPU，具有生成式 AI 功能。
新思科技宣称其“全栈 AI 驱动”的 Synopsys.ai EDA 套件针对高性能 CPU 进行优化，为三星 GAA 节点提供了优秀的 PPA（即 Performance、Power 和 Area，性能、功耗和面积）参数。
具体而言，新思科技的解决方案在为三星电子节省数周手动设计工作时间的同时，于该 SoC 上实现了 300MHz 的频率提升和 10% 的动态功耗降低。
三星电子系统 LSI 部门副总裁 Kijoon Hong 表示：“我们的长期合作带来了领先的 SoC 设计。通过与新思科技的合作，我们在最先进的移动 CPU 内核和 SoC 设计上成功实现了最优秀的 PPA，这是一个了不起的里程碑；
“我们不仅证明了 AI 驱动的解决方案可以帮助我们实现最先进的 GAA 工艺技术的 PPA 目标；我们还通过合作建立了一个超高生产率的设计系统，并不断取得令人瞩目的成果。”
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