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近日消息，三星电子正在探索将其先进的1c nm（第6代10+纳米级别）DRAM技术应用于HBM4内存中，此举旨在进一步增强该内存解决方案在能耗效率与综合性能方面的市场领先地位。
三星电子代表今年早些时候在行业会议 Memcon 2024 上表示，该企业计划在今年底前实现 1c nm 制程的量产；而在 HBM4 方面，三星电子预计在明年完成该新型 AI 内存的开发，2026 年实现量产。
在目前已量产的 HBM3E 上，三星并未像竞争对手 SK 海力士、美光那样采用 1b nm 制程 DRAM 裸片，而是仍使用 1a nm 颗粒，在能耗方面处于劣势。
这被消息人士认为是三星内部考虑在 HBM4 上就导入 1c nm DRAM 颗粒的重要诱因。
同一制程节点的首批 DRAM 产品一般是面向桌面和移动端市场的标准 DDR / LPDDR 产品，等到成熟后才会在高价值低良率的 HBM 中引入新制程。
消息人士还称，三星电子 HBM 业务相关高管和工作组也计划同步将 HBM4 的开发时间周期缩短，以跟上 AI 处理器厂商的需求。但这必然会带来更大的良率风险。
目前 HBM 内存领域的领军企业 SK 海力士已表达了计划在 HBM4E 上导入 1c nm 制程颗粒的意向，但尚未正式确认 HBM4 内存具体使用哪种制程的 DRAM。
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