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近日消息，瑞萨电子宣布了一项重大收购计划，将以每股5.10美元的价格全面收购美国氮化镓（GaN）功率半导体领先供应商Transphorm公司。
此次收购的总金额预计高达3.39亿美元，相较于Transphorm公司在1月10日的收盘价，溢价幅度约为35%，显示出了瑞萨电子对此次并购的高度重视及对未来市场发展的坚定信心。
此举标志着瑞萨电子在扩展其功率半导体产品线，尤其是先进氮化镓技术领域迈出了关键一步。通过整合Transphorm公司的先进技术与自身强大的研发实力和市场渠道，瑞萨电子有望进一步提升在全球半导体市场的竞争力，并为客户提供更高效、更具创新性的氮化镓功率半导体解决方案，以满足日益增长的新能源、电动汽车、工业自动化等领域的市场需求。
官方表示，此次收购将使瑞萨获得 GaN 内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器 / 适配器等快速增长市场的业务范围。
GaN 可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸，从而实现更高效、更轻的结构以及更低的总体成本。根据行业研究，GaN 的需求预计每年将增长 50% 以上。
瑞萨表示，他们将采用 Transphorm 的汽车级 GaN 技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的 X-in-1 动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。
瑞萨电子还表示，随着全球对高效电力系统的需求不断增加，相关产业正在向以碳化硅（SiC ）和 GaN 为代表的宽禁带（WBG ）材料过渡。在此背景下，瑞萨宣布已建立一条内部 SiC 生产线，并签署了为期 10 年的 SiC 晶圆供应协议。
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