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5月27日消息，近期有传闻称三星电子新推出的高带宽内存（HBM）技术产品遭遇了障碍，未能满足英伟达的测试标准。
据所谓“内部消息来源”透露，这些问题可能与三星HBM芯片的能耗效率及温度控制有关，引起了业界的关注。然而，这些未经证实的消息引发了市场对于双方合作进展的猜测。
不过据韩媒报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。
三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的 HBM3E 上，三星并未像竞争对手 SK 海力士、美光那样采用 1b nm 制程 DRAM 裸片，而是仍使用 1a nm 颗粒，在能耗方面处于劣势。
加上本次出现的相关负面舆论，这导致一些分析师怀疑三星“是否有能力从 SK 海力士处迅速夺回市场份额”。
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