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近日消息，Rapidus 的美国分支——Rapidus Design Solutions 的首席执行官亨利·理查德在近期的声明中强调，Rapidus 在其首个生产工艺阶段将不会采纳高数值孔径（High NA）EUV光刻技术。
据外媒道，理查德称 Rapidus 目前对在其 2nm 节点使用的 0.33NA (Low NA) EUV 光刻解决方案“非常满意”。
目前四家先进制程代工企业（台积电、三星电子、英特尔、Rapidus）中，仅有英特尔明确了将 High NA EUV 光刻机用于量产的计划。
台积电联席副 COO 张晓强近日就表示，他“不喜欢”ASML High NA EUV 光刻机的价格；而三星电子的 Kang Young Seog 研究员此前也表达了类似的看法。
除计划于 2025 年试产、2027 年量产的 2nm 工艺外，Rapidus 内部已对下一阶段 1.4nm 进行了规划。
理查德也表示，这家新兴日本代工厂“可能会考虑在 1.4nm 时采用不同的解决方案（指 High NA EUV 光刻）”。
理查德称其从潜在客户和 EDA 企业处了解到，整个先进半导体行业都在寻求除台积电外的另一家独立代工企业作为替代供应方。
不同于也拥有自身芯片业务的三星电子和英特尔，Rapidus 是一家纯粹的代工企业。这一独特身份将使其更受合作伙伴的欢迎。
理查德预估 2nm 及以下的最尖端半导体市场将达到 1500 亿美元（当前约 1.09 万亿元人民币），如此规模下 Rapidus 的“成功”不需要太多的市场份额。
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