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近日消息，韩国半导体双雄三星电子和SK海力士的通用DRAM内存生产线运作稳定，产能使用率徘徊在80%至90%之间，反映出市场供需现状。
韩媒宣称，这一情况同主要企业已实现生产正常化的 NAND 闪存产业形成鲜明对比：除铠侠外，三星电子和 SK 海力士也已于本季度实现 NAND 产线满负荷运行。
报道指出，目前通用 DRAM （即常规 DDR、LPDDR）需求整体萎靡，市场仍呈现供大于求的局面，是下游传统服务器、智能手机和 PC 产业复苏缓慢导致的。
全球科技企业近来强化对人工智能基础设施的建设，向传统服务器分配的投资额度相应出现大幅减少。而传统服务器正是通用 DRAM 订单的主要来源。
同时近年来各大巨头服务器更新周期延长，对先进通用 DRAM 的购买量也因此下滑。
而在消费端部分，智能手机和 PC 的出货量回升出现停滞，有研究机构认为全年涨幅仅会达 2~3%。
此前有业界声音指出，HBM 内存的增产会挤压到通用 DRAM 的投片量，进而在下半年造成通用 DRAM 供应紧张。
但有消息人士认为，根据目前态势，这种情况很难出现：
今年前六个月韩系通用 DRAM 产线开工率仅提升了 10%，现有水平上仍有提升空间；同时 DRAM 测试企业收获的订单量也没有出现显著扩大。
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