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7月3日消息，国内领先的存储芯片制造商至讯创新发布重大公告，宣布其自主研发的512Mb高可靠性工业级2D NAND闪存芯片已成功实现量产。
512Mb 的容量使得这款 2D NAND 闪存芯片可同时容纳系统代码和用户数据，为此后的系统代码升级留有足够空间。
至讯创新表示，这款全新的闪存芯片在完全达到工业级性能和可靠性要求的同时，对芯片尺寸做了全面优化，实现了业内同等容量下最小的芯片尺寸，“性价比优势凸显”。
该闪存芯片支持多比特片上 ECC 纠错，拥有至高 10 万次的擦写周期，可在-40~+85℃的温度下工作，满足严苛工业级测试，至讯创新也正在对该芯片对应的车规级版本进行验证。
整理至讯创新近年存储产品发布信息如下：
2022 年 12 月 13 日：国内首款全自研 19nm 中小容量 2D NAND 闪存开发成功；
2024 年 1 月 15 日：19nm 2D NAND 闪存全面量产。
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