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7月18日消息，三星电子内存部门新业务规划团队领头人Choi Jang Seok于近日宣布，公司预计将在2024年底启动符合CXL 2.0标准的256GB CMM-D 2.0存储模块的批量生产，此举标志着三星在高速数据传输解决方案上又迈出了重要的一步。
该内存模组将配备较为成熟的 1y nm（第二代 10+ nm 级）工艺 DRAM 内存颗粒，发挥 CXL 内存模块对 DRAM 颗粒性能要求较低的优势。未来三星电子还将推出颗粒更为先进的版本。
除 CMM-D 外，三星电子还规划了多个类型的 CXL 存储产品，包含配备多个 CMM-D 模块的 CMM-B 内存盒模组、同时搭载 DRAM 内存和 NAND 闪存颗粒的 CMM-H 混合存储模组。
Choi Jang Seok 提到三星电子正在内部研究另一类名为 CMM-DC 产品，其在 CMM-D 的基础上还具备计算能力。
展望未来，Choi Jang Seok 称：“当 CXL 3.1 和池化（可在多个主机间共享 CXL 内存资源）技术得到支持后，CXL 市场将在 2028 年左右全面开花。”
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