资讯
近日消息，三星电子宣布其最新的HBM3E内存已顺利通过NVIDIA的严格认证测试流程，预期将于下一季度启动对NVIDIA的批量供货，此消息预示着高性能计算领域将迎来存储技术的重大升级。
此前，三星电子为了集中力量发展HBM技术，已对其半导体业务线进行了多次调整，包括成立专门的HBM小组和改组DS（设备解决方案）部门等，誓要拿下NVIDIA这个大客户。
业界预期，三星电子将在7月31日的财务报告会议上宣布这一消息，三星电子的HBM3E内存技术采用自家的4nm制程工艺制造逻辑芯片，目前该工艺的良品率已超过70%。
此外，三星电子的HBM3E内存技术通过NVIDIA认证，不仅有助于公司重新夺回HBM技术和市场份额，还可能对DRAM市场供应产生影响。
据估计，三星电子可能会从其DRAM产能中调拨约30%专项生产HBM，这将削减约13%的全球DRAM供应量，进一步推高DRAM价格。
业界普遍认为，随着NVIDIA下一代Blackwell架构的预期需求，HBM内存的需求量将大幅增加，三星电子有望成为NVIDIA的重要供应商。
文明上网，理性发言，共同做网络文明传播者