三星8层HBM3E存储芯片成功闯关英伟达测试，预计Q4启动供货

8月7日消息，三星电子的第五代8层HBM3E存储解决方案近日成功完成了英伟达人工智能处理器的兼容性测试，标志着双方在高端计算技术上的合作又迈出了重要一步，为即将到来的高性能计算应用提供了强力支持。

知情人士表示，三星和英伟达尚未签署已获批的 8 层 HBM3E 芯片的供应协议，但很快就会达成协议，预计将在 2024 年第四季度开始供应。然而，三星的 12 层 HBM3E 芯片版本尚未通过英伟达的测试。

此次通过测试对于全球最大内存芯片制造商三星来说是一个重大突破。此前，三星在供应能够处理生成式 AI 工作的高级内存芯片的竞争中一直落后于其本土竞争对手 SK 海力士。

HBM 是一种动态随机存取内存（DRAM）标准，最早于 2013 年生产，通过垂直堆叠芯片来节省空间并降低功耗。作为 AI 图形处理器（GPU）的关键组件，其有助于处理复杂应用程序产生的海量数据。

随着生成式 AI 热潮引发的对高端 GPU 的旺盛需求，英伟达和其他 AI 芯片制造商都在努力满足市场需求，三星最新 HBM 芯片获得英伟达的批准正值此时。

研究机构 TrendForce 表示，HBM3E 芯片今年可能成为主流 HBM 产品，出货集中在下半年。行业龙头 SK 海力士预计，整个 HBM 内存芯片的需求到 2027 年可能以每年 82% 的速度增长。

三星 7 月预测，HBM3E 芯片将在第四季度占其 HBM 芯片销售额的 60%，许多分析师认为，如果其最新的 HBM 芯片能在第三季度通过英伟达的最终批准，这一目标可能会实现。

三星不提供特定芯片产品的收入细分。据路透社对 15 位分析师的调查，三星今年上半年 DRAM 芯片总收入为 22.5 万亿韩元（当前约 1176.3 亿元人民币），其中约 10% 可能来自 HBM 销售。

HBM 的主要制造商只有三个：SK 海力士、美光和三星。SK 海力士一直是英伟达的主要 HBM 芯片供应商，并于 3 月下旬向未透露身份的客户供应了 HBM3E 芯片。消息人士此前表示，这些芯片供应给了英伟达。美光也表示将向英伟达供应 HBM3E 芯片。

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