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8月7日消息，三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试，随后韩国媒体的报道指出三星电子否认了这一消息。三星官方的回应澄清了外界的传闻，强调之前的报道并不属实，这表明在高性能内存技术领域的进展可能还需进一步确认。
对于这一传闻，三星明确回应称：“我们无法证实与客户相关的报道，但该报道不属实。”
此外，三星电子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的质量测试仍在进行中，与上月财报电话会议时的情况相比没有任何变化。此前路透社的报道称，三星的 8 层 HBM3E 芯片已经通过英伟达的测试，并将于第四季度开始供货。
三星电子在 7 月 31 日公布第二季度财报的电话会议上表示，已向包括英伟达在内的主要客户提供了其 8 层 HBM3E 产品的样品，目前正在进行质量测试，预计第三季度开始量产供货。
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