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近日消息，三星电子与SK海力士两大内存巨头预计将于2026年后，将创新的“类HBM式”堆叠结构技术应用于其移动内存产品中，此举有望大幅提升移动设备的数据处理能力和能效比，引领存储领域新变革。
消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类 HBM 内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧 AI 提供动力。
综合此前报道，三星电子的此类产品叫做 LP Wide I/O 内存，SK 海力士则将这方面技术称为 VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线，即将扇出封装和垂直通道结合在一起。
三星电子的 LP Wide I/O 内存位宽达 512bit，是现有 LPDDR 内存的 8 倍，较传统引线键合拥有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 带宽。该内存将于 2025 年一季度技术就绪，2025 下半年至 2026 年中量产就绪。
而 SK 海力士的 VFO 技术验证样品将导线长度缩短至传统内存的不到 1/4，能效也提升了 4.9%。虽然该方案带来了额外 1.4% 的散热量，但封装厚度减少了 27%。
报道指出，关于这些堆叠式移动内存如何同处理器集成尚无定论，讨论中的方案包括类似 HBM 的 2.5D 封装或 3D 垂直堆叠。
半导体封装行业人士表示，移动处理器如何设计与布置将影响堆叠式移动内存的配置与连接方式，这意味着新一代移动内存将根据合作伙伴的需求定制供应，彻底改变移动 DRAM 市场格局。
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