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三星电子在9月12日的重大公告中揭示，其突破性的首款1太比特（1Tb）四层单元（QLC）第九代V-NAND芯片现已进入批量生产阶段，紧随其1Tb TLC型产品于今年4月成功启动量产的步伐。这一里程碑不仅展现了三星在NAND闪存技术的前沿领导地位，还预示着存储领域将迎来更高容量和更高效能的新纪元。
据介绍，三星 QLC 第九代 V-NAND 实现了多项技术突破，汇总如下：
通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching），能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在 TCL 第九代 V-NAND 中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代 QLC V-NAND 提升约 86%。
预设模具（Designed Mold）技术，能够调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致（V-NAND 层数越多，存储单元特性越重要）；采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约 20%，增强可靠性。
预测程序（Predictive Program）技术，能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作，让三星 QLC 第九代 V-NAND 的写入性能翻倍，I/O 速度提升 60%。
低功耗设计（Low-Power Design）技术，使数据读取功耗约分别下降了约 30% 和 50%。该技术降低了驱动 NAND 存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线（BL），从而尽可能减少功耗。
此外，三星还表示将扩大 QLC 第九代 V-NAND 的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器 SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
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