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12月11日消息，据韩国媒体报道，三星电子生产的 8 层和 12 层堆叠 HBM3E 内存样品未能满足英伟达的性能标准，因此在今年内难以正式向这位重要客户提供供应，实际的供货时间预计将推迟至 2025 年。
报道表示，三星电子早在 2023 年 10 月就开始向英伟达供应 HBM3E 内存的质量测试样品，但一年多的时间内三星 HBM3E 的认证流程并未取得明显进展。
韩媒援引消息人士的观点称，由于 SK 海力士在 HBM3E 上的领先地位，实际上为这一类型的利基内存确定了性能参数标准，而三星电子的 HBM3E 在发热和功耗等性能参数上无法满足英伟达的要求。
据悉，三星电子的 HBM3E 未能得到英伟达供应许可，主要因素并非与 SK 海力士采用了不同的键合工艺。
注：SK 海力士在 HBM3E 上使用了批量回流模制底部填充 MR-RUF 键合技术，而三星电子与美光则都是 TC-NCF 热压非导电薄膜。
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