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近日消息，三星电子在半导体封装技术领域展现全新布局，计划从现有的非导电胶（NCF）工艺转向模塑底部填胶（MUF）技术，以实现封装工艺的迭代升级。
传统上，三星电子在构建半导体芯片之间的垂直互连时，倚重非导电胶材料。这种材料能在芯片之间形成一层坚固且柔韧的薄膜，有效防止芯片因受力而产生不必要的弯曲变形，在经由硅通孔（TSV）技术实现高密度封装过程中扮演了关键角色。然而，随着技术需求不断提升，非导电胶在处理难度和生产效率方面的局限性逐渐显现，一定程度上制约了其进一步发展和应用。
为应对这一挑战并提升整体封装效能，三星电子正积极引入模塑底部填胶技术，此技术有望优化芯片内部结构设计，提高生产效率，并且在保障芯片性能的同时，还能简化制造流程，为先进半导体封装工艺打开新的局面。
报道称三星电子计划在硅通孔（through-silicon electrode，TSV）加工过程中，引入使用 MUF 材料。
TSV加工通俗来说，就是在晶圆（Wafer）或者裸晶（Die）上穿出数千个小孔，实现硅片堆叠的垂直互连通道。而 MUF 就是上下连接，缩小半导体之间间隙的材料，有助于紧密凝固和结合各种垂直堆叠的半导体。
从报道中获悉，三星电子已经能够从日本购买了 MUF 相关的设备，通过这一新变化，三星似乎希望改进工艺并提高生产率。
SK Hynix 在第二代 HBM 之前也一直使用 NCF，但从第三代（HBM2E）开始直接改用 MUF，特别是采用 MR-MUF。
业界某相关人士表示：“MR-MUF 方式与 NCF 相比，导热率高出 2 倍左右，不仅对于工艺速度，还是良率等都有很大影响。”
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