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4月1日消息，在 Memcon 2024 半导体行业盛会上，三星电子震撼发布了其在未来内存技术领域的重大战略布局——该公司透露，拟在2025年后率先突破行业瓶颈，引领全球步入崭新的3D DRAM内存时代。这一前瞻性宣告揭示了三星对内存技术研发的坚定承诺以及对未来市场趋势的精准把握。
DRAM 内存行业将于本十年后期将线宽压缩至 10nm 以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括 3D DRAM 在内的多种创新型内存设计。
三星在 Memcon 2024 的幻灯片上展示了两项 3D DRAM 内存新技术，包括垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠 DRAM（Stacked DRAM）。
相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻蚀工艺精度的要求。
相较现有 2D DRAM 结构，堆叠 DRAM 可充分利用 z 方向空间，在较小面积中容纳更多存储单元，单芯片容纳提升至 100G 以上。
3D DRAM 市场有望于 2028 年达到 1000 亿美元（当前约 7240 亿元人民币）。为了同其他主要内存制造商竞争，三星已于今年初在美国硅谷开设了一家新的 3D DRAM 研发实验室。
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