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4月19日消息，全球半导体巨头英特尔于当日正式对外宣称，其设在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的尖端研发基地——Fab D1X晶圆制造厂，已成功实现了全球首台采用0.55NA高数值孔径技术的商用极紫外（EUV）光刻设备的组装工程。
该历史性突破标志着这一革新性光刻机已跨入至关重要的光学系统精确调校阶段，预示着其距离全面投入使用又迈出了坚实一步。
这台光刻机型号 TWINSCAN EXE:5000，为 ASML 的首代 High NA EUV 光刻机，价值约 3.5 亿美元（当前约 25.38 亿元人民币）。
就在不久前 ASML 宣布其在荷兰埃因霍温总部的另一台 High NA EUV 光刻机成功绘制了 10nm 线宽的密集线图案。
英特尔表示 High-NA EUV 光刻机可拥有 1.7 倍于目前 0.33NA EUV 光刻机的一维密度，这意味着在二维尺度上可实现 190% 的密度提升。
采用 High-NA EUV 光刻机，可以更精细的尺度制造生产半导体，继续推动摩尔定律。
英特尔计划从 2025 年的 18A 新技术验证节点开始，在先进芯片开发和制造中同时使用 0.55NA 和 0.33NA 的 EUV 光刻机。
此外英特尔还计划购买下一代 TWINSCAN EXE:5200B 光刻机，新机型晶圆吞吐量超过每小时 200 片。
根据此前报道，ASML 在 2021 年时对后 EXE:5000 产品的称呼是 EXE:5200。暂不清楚 EXE:5200B 是 EXE:5200 的改名还是改进型号。
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