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近日消息，三星电子正积极探索将其最前沿的DRAM制造技术与金属氧化物抗蚀剂（MOR）相结合，旨在其下一代产品的极紫外光刻（EUV）工艺中实现创新应用。
这一战略调整标志着三星在提升DRAM性能及生产效率方面迈出了重要一步，利用MOR材料的独特优势来优化EUV光刻过程，为高级存储解决方案的批量生产铺设道路。
注：MOR 被业内认为是下一代光刻胶（PR），会接棒目前先进芯片光刻中的化学放大胶（CAR）。CAR 在 PR 分辨率、抗蚀刻性和线边缘粗糙度方面已经无法完全满足未来光刻的需求。
三星正考虑在第 6 代 10 纳米 DRAM（1c DRAM）中使用 MOR，主要在六层或七层上使用 EUV PR，相关产品将于今年下半年投入生产。
消息称三星正计划向多家供应商采购 EUV MOR 光刻胶材料，除了 Inpria 之外杜邦、东进半导体、三星 SDI 等都在测试开发。
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