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5月24日消息，尽管3纳米芯片技术正处于蓬勃发展的阶段，业界对于更先进2纳米芯片的竞逐已激烈展开，标志着半导体技术革新竞赛的又一高潮到来。
三星正在研发2nm芯片Exynos 2600，代号Thetis，预计将在2025年下半年开始量产，由Galaxy S26系列首发搭载。
报道指出，Galaxy S25系列将搭载3nm芯片Exynos 2500，对手骁龙8 Gen4也是采用3nm工艺，双方步调将保持一致。
但是在2025年下半年，三星将率先切入2nm工艺制程，Galaxy S26系列有望成为安卓阵营第一款2nm旗舰。
据悉，三星2nm采用最新一代MBCFET架构，与基于FinFET的工艺技术相比，前者晶体管性能提升了11%，同时漏电降低约50%。
另一方面，MBCFET彼此堆叠在一起，鳍片侧向放置，纳米片的宽度可以调整，以提供比FinFET更多的沟道宽度选项，这是一个对整个设计有用的功能，这在模拟SRAM中具有显著的优势。
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