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7月11日消息，科研领域传来振奋人心的消息，西安电子科技大学位于广州的研究机构——广州研究院第三代半导体创新中心，其研究团队在半导体材料科学领域取得了显著成就。
该团队在蓝宝石衬底上的增强型氮化镓(e-GaN)电力电子芯片的批量生产技术上，成功攻克了一系列关键性难题，实现了技术的重大突破。
研究团队攻克了≥1200V 超薄 GaN（氮化镓）缓冲层外延、p-GaN 栅 HEMTs 设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术，成功开发出阈值电压超过 2V、耐压达 3000V 的 6 英寸蓝宝石基增强型 e-GaN HEMTs 晶圆。该研究发表在《IEEE Electron Device Letters》上并入选封面 highlight 论文。
在该项目的研究中，研究团队还成功研发了 8 英寸 GaN 电力电子芯片，首次证明了 8 英寸蓝宝石基 GaN HEMTs 晶圆量产的可行性，并打破了传统 GaN 技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题，被国际著名半导体行业杂志《Semiconductor Today》专题报道。
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