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三星电子发力未来XR内存技术,积极研发LLW DRAM,剑指苹果新一代设备订单

三星(SAMSUNG) 2024-07-18 17:00:11 爱吃爆米花

7月18日消息,三星电子目前正致力于LLW DRAM内存技术的研发,此举是为了抢滩未来苹果Vision Pro后续型号或其他新型头显设备的内存供应合同,凸显其在高端存储解决方案领域的前瞻性布局。

LLW DRAM 全称 Low Latency Wide I/O DRAM,是一种高性能特殊内存,拥有数量众多的 I/O 引脚,具备高带宽低延迟低功耗的优势。

三星电子宣称,其 LLW DRAM 内存产品可实现 128GB/s 的带宽,同时能耗仅有 1.2pJ/bit。

据此前报道,与苹果 Vision Pro 头显上 R1 芯片配套的 LLW DRAM 内存由 SK 海力士独家供应,可提供 256GB/s 带宽。

该内存单颗容量为 1GB,I/O 引脚数量是传统内存的八倍。如果以目前 LPDDR5 内存的 64bit 作为基础,那 SK 海力士提供的 LLW DRAM 内存位宽可达 512bit。

韩媒报道提到,苹果曾于 2022 年同三星电子就 LLW DRAM 供应进行过洽谈,但最终 SK 海力士得到了这份订单。

三星电子正积极开发 LLW DRAM内存技术,目前正处于小规模生产阶段,目标未来从 SK 海力士的手中夺取这一细分领域的市场份额。

来源:it之家
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