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8月1日消息，在2024年第2季度财报电话会议中，三星公司高管宣布了一项重要进展：其第五代8层HBM3E存储解决方案已进入客户评估阶段，并预计将于2024年第3季度启动量产。
此举标志着三星在高性能内存技术领域再次迈出领先步伐，为数据中心和高端计算应用提供更强的性能支持。
三星负责人表示：
我们已经准备好量产半导体行业领先的 12 层 HBM3E 芯片，我们将根据多家客户的需求计划，在今年下半年扩大供应。
HBM3E 芯片在我们的 HBM 中所占的份额预计将在第三季度超过 10%，并有望在第四季度迅速扩大到 60%。
我们的 HBM 销售额在第二季度比上一季度增长了 50%，预计在下半年将增长 3 到 5 倍，每个季度都会有约 2 倍的大幅增长。
至于第六代 HBM4，我们有望从 2025 年下半年开始出货。
我们还在为客户开发性能优化的定制 HBM 产品，我们已经开始与客户讨论详细规格。
在7 月 16 日报道，三星规划至少转移 20-30% 的产能到 HBM 上，因此可能导致 DRAM 供应进一步紧张，第三季度的 DDR5 价格可能会上涨。集邦咨询认为常规服务器需求的复苏，加上 DRAM 厂商不断转移到 HBM 上，预估第 3 季度 DRAM 平均售价将上涨 8-13%。
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