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三星电子在8月12日披露了一项重大决策，即其位于平泽的P4工厂将推进1c纳米级DRAM内存生产线的投资项目。这项战略投资旨在加速先进存储技术的部署，预计到明年6月，该生产线将正式启动运营，进一步巩固三星在全球内存市场的领先地位。
平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。
而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式发布。韩媒在报道中称，三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。
根据此前报道，三星电子考虑在明年下半年推出的 HBM4 内存上使用 1c nm DRAM 裸片，以更先进的 DRAM 制程提升 HBM4 产品的能效竞争力，追赶 HBM 领域领先者 SK 海力士。
考虑到 HBM 内存对 DRAM 晶圆的消耗量远高于传统内存，平泽 P4 建设 1c nm DRAM 产线也是在为可能的 HBM4 生产需求做好准备。
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