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8月16日消息，三星电子宣布，计划在2024年第4季度至2025年第1季度间，迎来其首台ASML的High-NA EUV光刻机的安装阶段，预计这台先进设备将于2025年年中正式投入生产使用。
此举标志着三星在半导体制造工艺上又迈出了重要一步，High-NA EUV技术的引入将进一步提升芯片的集成度与性能，巩固其在全球半导体产业的领先地位。
报道称三星将在其华城园区内安装首台 ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻机，主要用于研发目的，开发用于逻辑和 DRAM 的下一代制造技术。
三星计划围绕高 High-NA EUV 技术开发一个强大的生态系统：除了收购高 NA EUV 光刻设备外，三星还与日本 Lasertec 公司合作开发专门用于 High-NA 光掩膜的检测设备。
三星已经购买了 Lasertec 的 High-NA EUV 掩膜检测工具 Actis A300。
三星电子半导体研究所的 Min Cheol-ki 博士在 2024 年光刻与图案化研讨会上表示：“与传统的 [EUV 专用工具] 相比，使用 [High-NA EUV 专用工具] 检测半导体掩膜可将对比度提高 30% 以上”。
报道还称三星还与光刻胶制造商 JSR 和蚀刻机制造商东京电子公司合作，准备在 2027 年之前将高纳 EUV 工具投入商业应用。
三星还与新思科技（Synopsys）合作，在光掩膜上从传统的电路设计转向曲线图案。这一转变有望提高电路压印在晶片上的精度，这对进一步完善工艺技术至关重要。
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