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8月19日消息，三星电子据韩媒于本月16日的报道透露，正加速推进下一代HBM4内存的研发进程，预期将于今年年末实施流片阶段，旨在为2024年底推出的12层堆叠HBM4内存产品的商业化量产奠定坚实基础，此番动作彰显了三星在高端存储解决方案领域的持续领先地位及技术雄心。
考虑到从流片到测试产品的推出还需要 3 到 4 个月的时间，三星电子的 HBM4 12H 样品预计最早明年初亮相。三星电子此后将对样品进行功能验证并改进设计和工艺，改进后的样品将向主要客户出样。
韩媒在报道中确认，三星电子将在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM 颗粒和 4nm 制程逻辑芯片，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。
三星电子的这一决定也对其在 HBM 市场上的主要竞争对手 SK 海力士产生了影响：
SK 海力士 HBM 开发团队的一位匿名人士称，SK 海力士原计划在 HBM4 中使用 1b nm 的 DRAM 颗粒，但在得知三星电子的 HBM4 方案后，SK 海力士内部正就其 HBM4 产品是否转向 1c nm DRAM 进行讨论。
而在 HBM4 内存的逻辑芯片部分，SK 海力士预计将使用台积电提供的 5nm 或 12nm 方案。
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