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9月12日消息，英飞凌科技公司宣布其已率先研发出全球首例基于300毫米（12英寸）直径的功率氮化镓（GaN）晶圆创新技术，此项成果标志着半导体行业在材料与制造工艺上的重大飞跃。
与现有的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆技术意味着在单个晶圆上可以制造更多的芯片，从而提高了生产效率和规模经济。
这一技术进步不仅能够增加每晶圆的芯片产量，达到2.3倍，同时也有助于降低生产成本，使得氮化镓技术更加经济高效。
氮化镓功率半导体因其在效率、尺寸和重量方面的优势，在工业、汽车、消费电子、计算和通信应用中得到快速采用。
据悉，英飞凌将在2024年11月在慕尼黑举行的电子展上展示其300毫米GaN技术。
公司已经在奥地利菲拉赫的功率工厂成功制造了300毫米GaN晶圆，并计划根据市场需求进一步扩大产能。
英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。”
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