资讯
11月21日消息，SK 海力士宣布已开始量产全球最高层数的 321 层 1Tb TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。这项技术的突破不仅提升了存储密度，还为未来数据存储解决方案提供了更多可能性。
据介绍，此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。
SK 海力士表示：“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NAND 闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过 300 层的 NAND 闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供 321 层产品，由此应对市场需求。”
据介绍，SK 海力士在此次产品开发过程中采用了高效的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。
该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将 3 个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。
此外，SK 海力士技术团队也将上一代 238 层 NAND 闪存的开发平台应用于 321 层，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了 59%。
文明上网，理性发言，共同做网络文明传播者