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近日消息，三星电子于1月30日对外披露了其在存储技术领域的重大突破，正在研发中的下一代V9 QLC闪存芯片实现前所未有的280层堆叠，这一创举不仅使存储密度显著提升，更预示着M.2 SSD的容量将达到惊人的16TB，同时性能也将取得飞跃式进步。预计这款革命性的产品将在今年内正式面世，为业界带来全新的存储解决方案。本文将深入解读这一创新成果，敬请广大读者关注并期待这一里程碑式的科技成果。
三星V9 QLC闪存的存储密度达到了前所未有的每平方毫米28.5Gb，相比目前最好的长江存储232层QLC 20.62Gb提高了多达36％。
其他的QLC方案就更不值一提了：美光232层19.5Gb、SK海力士176层14.4Gb、西数/铠侠162层13.86Gb。
密度上来之后，SSD容量自然水涨船高，理论上可以将M.2 SSD做成单面8TB、双面16TB！
当然具体做多少还得看市场需求了。
性能方面，三星V9 QLC的最大传输率号称可达3200MT/s，比目前最好的2400MT/s又高了一个档次，甚至可以满足未来PCIe 6.0方案的需求。
但实际表现如何还有待观察，毕竟QLC方案都严重依赖pSLC缓冲技术，需要将最多25％的容量做成缓存。
虽然很多人依然不待见QLC，但是随着TLC的潜力被挖掘殆尽，QLC已经成为绝对主流，各家都已经全部转向，三星也从2022年开始就将几乎全部精力放在了QLC。
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