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近日消息，三星在为未来DRAM产品布局时，正积极探索采用模压填充技术（MUF）的可能性。据悉，该企业在其尖端3D堆叠式内存架构中实验了一种改良版MR MUF工艺，尽管在吞吐量上展现出显著优势，但同时发现物理性能方面存在一定挑战与折衷。
经过测试，该公司得出结论，MUF 不适用于高带宽内存 （HBM），但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔（TSV） 技术制造，主要用于服务器。
MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的 TSV 工艺后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆叠的多个半导体牢固地固定并连接起来。
在此之前，三星已经在其现有的注册双列直插式内存模块（RDIMM）中使用了热压非导电膜（TC NCF）技术，而 MUF 是 SK 海力士用于制造高带宽内存（HBM）的技术（具体来说是 Mass Re-flow Molded Underfill，简称 MR-MUF）。
MUF 是一种环氧树脂模塑化合物，自从着 SK 海力士成功将其应用于 HBM 生产后便在芯片行业愈发受关注，业界认为该材料被认为在避免晶圆翘曲方面更有优势。
资料显示，SK 海力士所使用的化合物是与 Namics 合作开发的，而消息人士称三星则计划与三星 SDI 合作开发自己的 MUF 化合物，目前已经订购了 MUF 应用所需的模压设备。
三星是世界最大的存储半导体龙头企业，如果三星也引入 MUF，那么 MUF 可能会成为主流技术，半导体材料市场也会发生巨大的变化，不过三星电子相关人士对此回应称“无法确认内部技术战略”。
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