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三星与意法半导体携手于3月21日揭晓了其联合研发的18纳米全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）先进技术，此工艺的重大突破在于能够高效整合嵌入式相变存储解决方案（ePCM），预示着集成电路存储性能迈上新台阶。
注：FD-SOI 即全耗尽型绝缘体上硅，是一种平面半导体工艺技术，可以较简单的制造步骤实现优秀的漏电流控制。
意法半导体表示，相较于其现在使用的 40nm eNVM 技术，采用ePCM的18nm FD-SOI工艺大幅提升了性能参数：其在能效上提升了50%，数字密度上提升了 3 倍，同时可容纳更大的片上存储器，拥有更低的噪声系数。
该工艺能够在3V电压下提供多种模拟功能，包括电源管理、复位系统等，是 20nm 以下制程中唯一支持这些功能的技术。
同时，新的18nm FD-SOI工艺在抗高温、抗辐射等方面也有出色表现，可用于要求苛刻的工业应用。
意法半导体首款基于该制程的STM32 MCU将于下半年开始向选定的客户出样，并计划于2025年下半年量产。
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