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4月12日消息，三星电子正蓄势待发，有望于本月底以前迈入第9代V-NAND闪存的大规模制造阶段。这一重大进展呼应了公司内存业务负责人Jung-Bae Lee于去年十月作出的预告，当时他透露三星将在“今年初”推出一款具有业界最尖端堆叠技术的新一代NAND闪存产品。
三星于 2022 年 11 月量产了 236 层第 8 代 V-NAND，这意味着两代之间的间隔为一年半左右。
Hankyung 称第 9 代 V-NAND 闪存的堆叠层数将是 290 层，不过早前报道中提到，三星在学术会议上展示了 280 层堆叠的 QLC 闪存，该闪存 IO 接口速率达到 3.2GB/s。
三星在第 9 代 V-NAND 上将沿用双闪存堆栈的结构，以实现更简单的工序和更低的制造成本。而在预计明年推出的第 10 代 V-NAND 闪存上，三星将换用三堆栈结构。
新的结构将进一步提升 3D 闪存的最大可能堆叠层数，不过也会在堆栈对齐方面引入更多的复杂性，SK 海力士明年量产的 321 层 NAND 闪存就将使用这一结构 。
半导体行业观察机构 TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 闪存有望达到 430 层，进一步提升堆叠方面的优势。
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