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4月23日消息，三星半导体于4月23日正式揭晓，其尖端的第九代1Tb TLC V-NAND存储芯片已步入大规模制造阶段，实现与前代产品相比约50%的显著位密度提升。
此次突破性进展，归功于创新应用的通道孔蚀刻工艺，该技术不仅优化了生产流程，更有力地推动了整体制造效率的跃升。
凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，三星第九代 V-NAND 的位密度比第八代 V-NAND 提高了约 50%。单元干扰避免和单元寿命延长等新技术特性的应用提高了产品的质量和可靠性，而消除虚通道孔则显著减少了存储单元的平面面积。
此外，三星的“通道孔蚀刻”技术通过堆叠模具层来创建电子通路，可在双层结构中同时钻孔，达到三星最高的单元层数，从而最大限度地提高了制造生产率。随着单元层数的增加，穿透更多单元的能力变得至关重要，这就对更复杂的蚀刻技术提出了要求。
第九代 V-NAND 配备了下一代 NAND 闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入 / 输出速度提高 33%，最高可达每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。
与上一代产品相比，基于三星在低功耗设计方面取得的进步，第九代 V-NAND 的功耗也降低了 10%。
三星已于本月开始量产第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品，并将于今年下半年开始量产四层单元（QLC）第九代 V-NAND。
韩媒称三星第 9 代 V-NAND 闪存的堆叠层数是 290 层，三星在学术会议上展示了 280 层堆叠的 QLC 闪存。
半导体行业观察机构 TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 闪存有望达到 430 层，进一步提升堆叠方面的优势。
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