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近日消息，韩国科技巨头三星电子正在积极开展对逻辑芯片应用混合键合技术的研究与开发工作，其目标直指在2026年以前，率先推出一款集前沿3D封装技术与突破性2纳米制程节点于一体的高端移动处理器。
注：混合键合技术是一种无凸块（焊球）的直接铜对铜键合技术。相较采用凸块的传统键合技术，混合键合可降低上下层芯片间距，提升芯片之间的电信号传输性能，增加 IO 通道数量。
混合键合已在 3D NAND 闪存中使用，未来即将用于 HBM4 内存。新项目将是三星首次尝试在逻辑芯片中应用这一键合技术。
报道指，三星目前将 2026 年下半年设定为 3D 移动处理器的量产时间，目标到时将每个 IO 端子之间的间距降低至 2 微米，进一步提升 IO 数量。
为实现这一目标，三星电子的代工和先进封装部门已在进行合作。
目前尚不清楚混合键合 3D 移动处理器将在三星自身产品还是代工项目上首发。未来这一技术有望扩展到 HPC 芯片等其他逻辑半导体领域。
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