4月29日最新动态显示,SK海力士不仅推进了M15X项目,还在积极探索建立额外的内存制造工厂的可能性,其选址范围广泛覆盖韩国本土以及包括美国在内的多个海外区域。
据报道,该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产,预计今年内存芯片需求将大幅增长。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示,“我们了解到,他们不仅对在韩国建立新基地的可能性持开放态度,也对在美国乃至其他地区建立新基地持开放态度。”
当地时间 24 日,SK 海力士宣布在韩国清州 M15X 工厂安装新的 DRAM 设施。SK 海力士光是在这家工厂就已经投资了 20 万亿韩元(当前约 1054 亿元人民币),目标是明年 11 月启动产线。
据悉,M15X 工厂将配备最新的半导体设备,包括一台极紫外线(EUV)光刻机,用于生产 10 纳米第五代 D-RAM 及更先进的产品。如果 SK hynix 确认追加投资,这将是继龙仁集群、美国印第安纳先进封装厂和 M15X 之后的又一项重大投资。
据此前报道,SK 海力士 CEO 郭鲁正曾表示:“M15X 将成为向全世界提供 AI 应用存储器的核心设施,也是公司迈向未来的垫脚石,我确信此次投资不仅有助于公司,还会对国家经济的未来发展作出贡献。”
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