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5月7日消息，SK 海力士于5月7日启动了与东京电子（TEL）的技术合作新篇章，向其递送试产晶圆以评估TEL的创新低温蚀刻装置。
这一举措预示着双方可能在接下来的NAND闪存制造升级中实现技术融合，标志着向更高效、更精密的存储芯片生产迈出的重要一步。
目前，提升堆叠层数是提升单颗 3D NAND 闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大，速度也随之降低。
厂商不得不考虑将整体 NAND 闪存分割为多个闪存堆栈制造，之后将各个堆栈键合为一体。不过多堆栈结构在键合过程中引入了对齐等新问题，性能、能效也有所下降。
东京电子的新型低温蚀刻设备工作环境温度为-70℃，明显低于现有蚀刻设备的 0~30℃。
参考去年报道，新设备可在 33 分钟内蚀刻 10 微米，比现有设备快 3 倍以上；
同时东京电子的低温蚀刻设备采用氟化氢（HF）气体，相较传统系统使用的氟碳化物气体拥有较低的温室效应，更为环保。
SK 海力士官宣的最新一代 321 层 NAND 闪存采用了三堆栈结构。业内人士预计，如果东京电子的低温蚀刻设备效果良好，未来 400 + 层闪存产品有望将堆栈数量降低到 2 乃至 1。
在另一方面，SK 海力士的主要竞争对手之一三星电子则是导入该工具的演示版本对低温蚀刻进行评估。
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