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近日消息，在韩国首尔举行的 SK AI Summit 2024 上，SK 海力士 CEO 郭鲁正宣布了全球首款 16-High HBM3E 内存的推出。这款新内存能够提供高达 48GB 的单堆栈容量，并计划于明年年初开始出样。
虽然一般认为 16 层堆叠 HBM 内存直到下一世代 HBM4 才会正式商用，但参考内存领域 IP 企业 Rambus 的文章，HBM3E 也有扩展到 16 层的潜力。
此外，SK 海力士为今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 学术会议准备的论文中也提到了可实现 1280GB/s 带宽的 48GB 16-High HBM3E DRAM，本次推出的产品很可能就是该论文对应的研发成果。
SK 海力士表示其 16-High HBM3E 的 AI 训练性能较上代 12-High 产品提高了 18%，推理性能更是提升了 32%；这款 HBM 内存仍采用先进 MR-MUF（批量回流模制底部填充）键合技术，SK 海力士也在开发性能更为优秀的混合键合。
在 DRAM 内存领域，SK 海力士表示除 16-High HBM3E 外还正在开发基于 1c nm LPDDR5 和 LPDDR6 的 LPCAMM2，这些内存条同时面向 PC 和数据中心市场。
而在 NAND 闪存领域，该企业还准备了 PCIe 6.0 固态硬盘、基于 QLC 的大容量企业级固态硬盘和下代 UFS 5.0 闪存。
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