英特尔独占ASML首批高NA EUV光刻机产能，锁定全年顶尖设备供应

5月8日消息，英特尔对外确认，其已成功安装了全球首台用于商业领域的高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机，这项投资约为3.5亿美元（折合人民币约25.23亿元）的超精密设备预计将在2024年内正式启动运行。

TheElec 表示，ASML 截至明年上半年绝大部分高数值孔径 EUV 设备的订单已经由英特尔承包，包括今年计划生产的五套设备将全部运给这家美国芯片制造商。

消息人士称，由于 ASML 的高数值孔径 EUV 设备产能每年约为 5 到 6 台，这意味着英特尔将获得所有初始库存，而英特尔的竞争对手三星和 SK 海力士预计将在明年下半年才能获得该设备。

对于高数值孔径，光刻设备中的 NA 代表数值孔径，表示光学系统收集和聚光的能力。数值越高，聚光的能力就越强。相比于当前 EUV 设备的 0.33 数值孔径，新一代 EUV 设备的 NA 值直接增加到了 0.55，拥有 1.7 倍于目前 0.33NA EUV 光刻机的一维密度，在二维尺度上可实现 190% 的密度提升。

英特尔代工旗下逻辑技术开发部门的光刻、硬件和解决方案主管菲利普斯表示，英特尔将于今年晚些时候将 High NA EUV 光刻机投入制程开发工作。

英特尔将在 18A 尺度的概念验证节点上对 High NA EUV 和传统 0.33NA EUV 光刻的混合使用进行测试，并在之后的 14A 节点上进入商业化量产阶段。

菲利普斯预测 High NA EUV 光刻机至少可在三代的未来节点上沿用，从而将光刻技术的名义尺度突破到 1nm 以下量级。

关于未来光刻技术发展，菲利普斯认为将光线波长进一步缩短至 6.7nm 会引入大量新的问题，包括明显更大的光学组件；在他眼中，更高的数值孔径（Hyper NA）是可能的技术方向。

对于 High NA EUV 光刻带来的单芯片理论最大面积减小问题，菲利普斯表示英特尔正同 EDA 企业一道就芯片“缝合”技术进行开发，以方便设计师使用。

由于英特尔于 2021 年重新进入芯片代工市场，所以需要比其竞争对手更快地采用高数值孔径 EUV 技术来赢得客户的信任，不过英特尔代工业务去年亏损了 70 亿美元（当前约 504.7 亿元人民币），看起来还有很长的路要走。

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