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5月31日消息，三星电子在昨天于韩国举办的“AI-PIM研讨会”上对外宣布，公司正稳步推动eMRAM存储技术的制程革新，并取得重要进展。
尤其值得关注的是，其8纳米eMRAM的技术研发阶段已接近尾声，标志着三星在非易失性内存领域迈出了实质性的一步。
这一成果不仅展现了三星在内存技术前沿的持续领导力，也为未来电子设备的高效能、低能耗应用奠定了坚实基础。随着制程技术的成熟，8nm eMRAM有望加速商业化进程，为存储解决方案带来革新。
作为一种新型内存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 内存一样不断刷新数据，更为节能高效；
同时 MRAM 的写入速度又是 NAND 的 1000 倍，支持对写入速率要求更高的应用。
eMRAM 即面向嵌入式领域的 MRAM。三星电子目前具有 28nm eMRAM 的生产能力，已在向智能手表等终端产品供货。
根据2023 年的报道，三星电子当时表示计划在 2024 年量产 14nm eMRAM；2026 年量产 8nm 的 eMRAM；到 2027 年将更进一步，实现 5nm 制程 eMRAM 量产。
目前三星电子已完成 14nm eMRAM 的开发，8nm eMRAM 开发也基本完成，仍计划 2027 年推出 5nm eMRAM。
三星电子认为未来车用领域对 eMRAM 的需求将持续增长，其产品目前耐温能力已达 150~160℃，足以满足汽车行业对半导体的严苛要求。
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