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6月14日消息，西部数据在最近的投资者盛会上，率先展示了其尖端的2Tb BICS8（层数达218层）QLC NAND闪存芯片，树立了当前全球闪存密度的巅峰标准。
该存储颗粒专为满足数据中心与 AI 存储需求设计，可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本，满足越来越庞大的数据存储需求。
一个闪存颗粒由多个闪存芯片堆叠封装而成，单芯片 2Tb 意味着西数可通过 16 层堆叠提供 4TB 容量颗粒，为未来 128TB 乃至 256TB 量级企业级固态硬盘铺平道路。
西部数据闪存业务总经理罗伯特・索德伯里（Robert Soderbery）还在这场活动上展示了 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片实物，该芯片的长度与一个指尖的宽度大致相当：
索德伯里表示，该闪存新品即将正式发布。
回到 BiCS8 技术上来，西部数据-铠侠此次采用了类似长江存储 Xtacking 的 CBA 技术路线，即分别制造存储堆栈和 CMOS 控制电路，最后将两部分混合键合。
这一模式可在提升闪存读写性能的同时，有效提升闪存整体存储密度，降低运行功耗。
具体在数值层面，西数表示，BICS8 颗粒在密度上比竞争对手高出 15~19%，其中 1Tb 版本的 TLC 颗粒拥有与对手 2xxL 1Tb QLC 颗粒相媲美的存储密度。
而在能效方面，西部数据宣称其 BICS8 闪存在编程能耗（原文 Program Efficiency）方面比竞争对手低 13%。
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