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7月3日消息，韩国媒体报道指出，三星电子在其最新一代的V-NAND闪存技术中，即第9代产品，首次采用了钼（Mo）作为金属布线材料。
这一举措标志着三星在NAND闪存制造工艺上的又一次重大创新，钼的使用或将带来更优异的电气性能和稳定性，同时也可能提高生产效率，降低成本。
注：半导体制造过程中八大工艺分别为：晶圆制造、氧化、光刻、刻蚀、沉积、金属布线、测试和封装。
其中金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体（CPU、GPU 等），可以说是“为半导体注入了生命”。
消息人士称三星公司已从 Lam Research 公司引进了五台 Mo 沉积机，此外还计划明年再引进 20 台设备。
除三星电子外，SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也在考虑使用钼。和现有 NAND 工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不同，钼前驱体（molybdenum precursor）是固态，必须在 600℃ 的高温下才能升华直接转化为气态，而这个过程需要单独的沉积设备。
三星今年 5 月报道，已经启动了首批第九代 V-NAND 闪存量产，位密度比第八代 V-NAND 提高了约 50%。
第九代 V-NAND 配备了下一代 NAND 闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入 / 输出速度提高 33%，最高可达每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。
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